HUF75631SK8

产品描述

MOSFET USE 512-FDS3682

内部编号

生产厂商

数量:7390

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新加坡
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规格书
Status	Obsolete
RoHS	No
晶体管极性	N-Channel
漏源击穿电压	100 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	5.5 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.039 Ohms
配置	Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	SOIC-8 Narrow
封装	Tube
下降时间	31 ns
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	2.5 W
上升时间	23 ns
工厂包装数量	98
典型关闭延迟时间	39 ns
寿命	Obsolete

型号	厂家	产品描述
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